国家/地区 韩国（70）
IPC部 C（48） B（44） H（39）
G（6） D（4） F（2）
IPC大类 H01（38） C01（36） B82（32）
B32（13） C08（13） B05（12）
B01（9） C23（8） B29（4）
C09（4） B44（3） C30（3）
D01（3） C04（2） D02（2）
IPC小类 C01B（36） B82Y（26） H01L（23）
B32B（13） B82B（13） B05D（12）
C08K（11） H01B（11） B01J（9）
C08L（9） H01M（8） C23C（7）
B29C（4） C08J（4） B44C（3）
IPC C01B031/04（27） C01B031/02（24） B82Y030/00（15）
B82Y040/00（15） C01B031/00（12） B82B003/00（11）
C08K003/04（11） H01B001/24（9） H01B001/04（6）
B05D003/02（5） H01L031/042（5） B01J019/08（4）
C23C016/26（4） H01L029/16（4） H01L029/786（4）
发明人 KIM J（6） LEE J（6） LEE S（6）
AKSAY I A（5） CHOI J（5） KIM G（4）
LETTOW J S（4） HEON HEO S（3） HUN JI S（3）
HWANG J（3） JAVAHERIAN N（3） LEE S H（3）
MYEONG CHOI S（3） REDMOND K（3） SEON M C（3）
公开年 2010（70）
申请年 2009（46）  2010（14）  2008（10） 
专利权人 AKSAY I A（5） SAMSUNG ELEC.（5） KOREA INST S.（4） LETTOW J S（4）
POSTECH ACAD.（4） VORBECK MATE.（4） ABC SANG CO .（3） HYUNDAI MOTO.（3）
JAVAHERIAN N（3） KORDSA GLOBA.（3） KOREA ADV IN.（3） KOREA INST C.（3）
POSTECH ACAD.（3） REDMOND K（3） UNIV CHONNAM.（3） YANG W D（3）
YILDIRIM I O（3） BATTELLE MEM.（2） GILJE S S（2） GURDAG S（2）

Manufacture of graphene-pitch composites, involves mixing graphene and pitch, and processing mixture.

HEON HEO S, MI JU H, HO CHOI S, YEON CHO G, SEUNG H H, HYE M J, SEONG H C, KWANG Y C

Manufacture of low-dimensional carbon-containing composites, involves mixing graphene, pitch and carbon material, and processing mixture.

HEON HEO S, MI JU H, HO CHOI S, YEON CHO G, HYEONG RYU D, SEUNG H H, HYE M J, SEONG H C, KWANG Y C, DOH H R

Manufacture of graphene film for electrode material, involves dispersing graphene oxide in hydrophilic solvent, rotate-drying and spin-dehydrating.

SEOK SEO T, RIUPEI, SEO T S, FEI L

Graphene nanoribbons preparation for electronic device comprises exposing carbon nanotubes to alkali metal source in the absence of solvent, and adding electrophile to form functionalized graphene nanoribbons.

TOUR J M, KOSYNKIN D V, TOUR J, KOSYNKIN D

Method for forming epitaxial graphene layer on electronic component i.e. semiconductor memory, involves removing native oxide film formed on silicon carbide substrate to form epitaxial graphene layer on silicon carbide substrate.

JIN CHO B, HO SEO J, JIN GANG B

Graphene-coated separator used for fuel cell used for electric power system, has stainless steel substrate, buffer layer formed on side(s) of substrate and graphene layer coated on surface of buffer layer.

HYEONG LEE J, SIN HWANG Y, WON CHA S

Producing e.g. multi-graphene dispersion, useful as electrode material in lithium ion battery, comprises dispersing graphite oxide in dispersion medium to form multi-graphene oxide dispersion, and thermally reducing the oxide in dispersion.

NESPER R, TOMMY K, NESEUPEO R, TOMI K, NIRSBOR R, NISPORRE R, KASPAR T

Manufacture of graphene sheet, involves oxidizing graphitic structure by immersing in hydrogen peroxide and processing with ultrasonic waves, and subjecting to microwave irradiation and supersonic treatment.

GWON OH I, BADAHANAMBI S, HAN JEON J, OH I K, SRIDHAR V, JEON J H

Graphene thin film formation method for semiconductor device, involves spraying graphene dispersed solution on substrate, preparing oxidation graphite, adding hydrazine in oxidation graphite, and diluting graphene dispersed solution.

SEOK JEONG J, JEONG KIM U, BETEU HONG P, HAI DIN P, PAN TU DUEONG W, BIET KUEONG T, CHUNG J S, KIM E J, PHAM V H, PHAM H D, NGUYEN P T D, TRAN V C

Non-catalytic method for growing graphene used for transparent electrode of solar cell and other electronic components, involves putting substrate in gas containing carbon, heating substrate, and forming graphene on substrate.

U CHOI J, CHOI J W